深圳市长圣电子有限公司

AS1117L-3.3/TR-LF

应用范围:达林顿 品牌/商标:AS 型号/规格:AS1117L-3.3/TR-LF 材料:锗(Ge) 封装形式:贴片型 集电极耗散功率PCM:50 集电极允许电流ICM:300 极性:NPN型 截止频率fT:320 结构:平面型 封装材料:表面封装 加工定制:否 击穿电压VCEO:45V

1117L-3.3/TR-LF

应用范围:达林顿 品牌/商标:AS 型号/规格:1117L-3.3/TR-LF 材料:锗(Ge) 封装形式:贴片型 集电极耗散功率PCM:50 集电极允许电流ICM:300 极性:NPN型 截止频率fT:320 结构:平面型 封装材料:表面封装 加工定制:否 击穿电压VCEO:45V

AS431AU/TR

应用范围:达林顿 品牌/商标:AS 型号/规格:AS431AU/TR 材料:锗(Ge) 封装形式:贴片型 集电极耗散功率PCM:50 集电极允许电流ICM:300 极性:NPN型 截止频率fT:320 结构:平面型 封装材料:表面封装 加工定制:否 击穿电压VCEO:45V

431AU/TR

应用范围:达林顿 品牌/商标:AS 型号/规格:431AU/TR 材料:锗(Ge) 封装形式:贴片型 集电极耗散功率PCM:50 集电极允许电流ICM:300 极性:NPN型 截止频率fT:320 结构:平面型 封装材料:表面封装 加工定制:否 击穿电压VCEO:45V

AS1117L-3.3/TR

应用范围:达林顿 品牌/商标:AS 型号/规格:AS1117L-3.3/TR 材料:锗(Ge) 封装形式:贴片型 集电极耗散功率PCM:50 集电极允许电流ICM:300 极性:NPN型 截止频率fT:320 结构:平面型 封装材料:表面封装 加工定制:否 击穿电压VCEO:45V

1117L-3.3/TR

应用范围:达林顿 品牌/商标:AS 型号/规格:1117L-3.3/TR 材料:锗(Ge) 封装形式:贴片型 集电极耗散功率PCM:50 集电极允许电流ICM:300 极性:NPN型 截止频率fT:320 结构:平面型 封装材料:表面封装 加工定制:否 击穿电压VCEO:45V

AP9T16G

应用范围:达林顿 品牌/商标:APEC/富鼎 型号/规格:AP9T16G 材料:锗(Ge) 封装形式:贴片型 集电极耗散功率PCM:50 集电极允许电流ICM:300 极性:NPN型 截止频率fT:320 结构:平面型 封装材料:表面封装 加工定制:否 击穿电压VCEO:45V

AP9T16

应用范围:达林顿 品牌/商标:APEC/富鼎 型号/规格:AP9T16 材料:锗(Ge) 封装形式:贴片型 集电极耗散功率PCM:50 集电极允许电流ICM:300 极性:NPN型 截止频率fT:320 结构:平面型 封装材料:表面封装 加工定制:否 击穿电压VCEO:45V

AP25T03

应用范围:达林顿 品牌/商标:APEC/富鼎 型号/规格:AP25T03 材料:锗(Ge) 封装形式:贴片型 集电极耗散功率PCM:50 集电极允许电流ICM:300 极性:NPN型 截止频率fT:320 结构:平面型 封装材料:表面封装 加工定制:否 击穿电压VCEO:45V

90T03H

应用范围:达林顿 品牌/商标:APEC/富鼎 型号/规格:90T03H 材料:锗(Ge) 封装形式:贴片型 集电极耗散功率PCM:50 集电极允许电流ICM:300 极性:NPN型 截止频率fT:320 结构:平面型 封装材料:表面封装 加工定制:否 击穿电压VCEO:45V

01N60H

应用范围:达林顿 品牌/商标:APEC/富鼎 型号/规格:01N60H 材料:锗(Ge) 封装形式:贴片型 集电极耗散功率PCM:50 集电极允许电流ICM:300 极性:NPN型 截止频率fT:320 结构:平面型 封装材料:表面封装 加工定制:否 击穿电压VCEO:45V

AP25T03G

应用范围:达林顿 品牌/商标:APEC/富鼎 型号/规格:AP25T03G 材料:锗(Ge) 封装形式:贴片型 集电极耗散功率PCM:50 集电极允许电流ICM:300 极性:NPN型 截止频率fT:320 结构:平面型 封装材料:表面封装 加工定制:否 击穿电压VCEO:45V

25T03GH

应用范围:达林顿 品牌/商标:APEC/富鼎 型号/规格:25T03GH 材料:锗(Ge) 封装形式:贴片型 集电极耗散功率PCM:50 集电极允许电流ICM:300 极性:NPN型 截止频率fT:320 结构:平面型 封装材料:表面封装 加工定制:否 击穿电压VCEO:45V

AP90T03

应用范围:达林顿 品牌/商标:APEC/富鼎 型号/规格:AP90T03 材料:锗(Ge) 封装形式:贴片型 集电极耗散功率PCM:50 集电极允许电流ICM:300 极性:NPN型 截止频率fT:320 结构:平面型 封装材料:表面封装 加工定制:否 击穿电压VCEO:45V

9T16GH

应用范围:达林顿 品牌/商标:APEC/富鼎 型号/规格:9T16GH 材料:锗(Ge) 封装形式:贴片型 集电极耗散功率PCM:50 集电极允许电流ICM:300 极性:NPN型 截止频率fT:320 结构:平面型 封装材料:表面封装 加工定制:否 击穿电压VCEO:45V

AP3302

应用范围:达林顿 品牌/商标:APEC/富鼎 型号/规格:AP3302 材料:锗(Ge) 封装形式:贴片型 集电极耗散功率PCM:50 集电极允许电流ICM:300 极性:NPN型 截止频率fT:320 结构:平面型 封装材料:表面封装 加工定制:否 击穿电压VCEO:45V

25T03G

应用范围:达林顿 品牌/商标:APEC/富鼎 型号/规格:25T03G 材料:锗(Ge) 封装形式:贴片型 集电极耗散功率PCM:50 集电极允许电流ICM:300 极性:NPN型 截止频率fT:320 结构:平面型 封装材料:表面封装 加工定制:否 击穿电压VCEO:45V

AP9569

应用范围:达林顿 品牌/商标:APEC/富鼎 型号/规格:AP9569 材料:锗(Ge) 封装形式:贴片型 集电极耗散功率PCM:50 集电极允许电流ICM:300 极性:NPN型 截止频率fT:320 结构:平面型 封装材料:表面封装 加工定制:否 击穿电压VCEO:45V

AP9569G

应用范围:达林顿 品牌/商标:APEC/富鼎 型号/规格:AP9569G 材料:锗(Ge) 封装形式:贴片型 集电极耗散功率PCM:50 集电极允许电流ICM:300 极性:NPN型 截止频率fT:320 结构:平面型 封装材料:表面封装 加工定制:否 击穿电压VCEO:45V

9569GH

应用范围:达林顿 品牌/商标:APEC/富鼎 型号/规格:9569GH 材料:锗(Ge) 封装形式:贴片型 集电极耗散功率PCM:50 集电极允许电流ICM:300 极性:NPN型 截止频率fT:320 结构:平面型 封装材料:表面封装 加工定制:否 击穿电压VCEO:45V