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20ETS12S
品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:20ETS12S 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-FBM/全桥组件 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:SB肖特基势垒栅 漏极电流:1 开启电压:1 夹断电压:1 低频噪声系数:1 极间电容:1 耗散功率:1
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10TQ035S
品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:10TQ035S 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-INM/独立组件 封装外形:LLCC/无引线陶瓷片载 材料:SB肖特基势垒栅 漏极电流:5 开启电压:5 夹断电压:5 低频噪声系数:5 极间电容:5 耗散功率:5